Transistors et diodes de puissance : caractéristiques et différences
Classé dans Électronique
Écrit le en
français avec une taille de 14,28 KB
Différences entre BJT de puissance et MOSFET
Les transistors bipolaires de puissance (BJT) sont fréquents dans les convertisseurs de puissance fonctionnant à des fréquences inférieures à 10 kHz. Ils sont disponibles dans des spécifications allant jusqu'à environ 1200 V et 400 A. Un transistor bipolaire dispose de trois terminaux : base, émetteur et collecteur. Il fonctionne généralement comme un interrupteur en configuration émetteur commun.
Lorsque la base d'un transistor NPN reçoit un potentiel plus élevé que l'émetteur et que le courant de base est suffisant pour conduire le transistor en région de saturation, le transistor reste conducteur tant que la jonction collecteur‑émetteur est correctement polarisée.
La chute de... Continuer la lecture de "Transistors et diodes de puissance : caractéristiques et différences" »